1, 將一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元或者寄放器置成預(yù)先規(guī)定的狀態(tài)，通常置成零狀態(tài)。

2, 存儲(chǔ)容量和性能：通過(guò)根據(jù)需要?jiǎng)討B(tài)地添加存儲(chǔ)單元來(lái)實(shí)現(xiàn)。

3, 量子計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)單元的相干脫散，破壞量子態(tài)中的信息，是量子計(jì)算機(jī)難以實(shí)現(xiàn)的主要原因之一。

4, 你可以借助于壓縮十進(jìn)制數(shù)字的方法來(lái)節(jié)省大量的存儲(chǔ)單元.

5, 分析了影響這種SRAM存儲(chǔ)單元工作特性的各種因素，包括對(duì)其中的反相器、壓控電阻和傳輸門(mén)管的研究。

6, 存儲(chǔ)器采用六管CMOS存儲(chǔ)單元、鎖存器型敏感放大器和高速譯碼電路，以期達(dá)到最快的存取時(shí)間。

7, 觸發(fā)器是構(gòu)成時(shí)序邏輯電路的存儲(chǔ)單元和核心部件.

8, 在某些系統(tǒng)中,任何一個(gè)離散的存儲(chǔ)單元,如字節(jié)、字、數(shù)據(jù)塊、存儲(chǔ)桶、磁盤(pán)圓柱、磁道扇區(qū)等.

9, 某些非晶體存儲(chǔ)器中的一個(gè)存儲(chǔ)單元.

10, 通過(guò)在峰值存儲(chǔ)單元中引入零點(diǎn)及在峰值檢測(cè)電路中引入前饋，實(shí)現(xiàn)了對(duì)自動(dòng)增益控制環(huán)阻尼特性的調(diào)整。

11, 對(duì)第一代開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的似分析，設(shè)計(jì)了一種高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元。

12, 在具有微程序控制的指令集的微型計(jì)算機(jī)中，它包含另外的控制存儲(chǔ)單元。

13, 由此可見(jiàn),加數(shù)和被加數(shù)都應(yīng)足夠小,以便能夠適合地裝入一個(gè)存儲(chǔ)單元.

14, 3D閃存是下一代閃存技術(shù),相對(duì)于2D閃存技術(shù),3D閃存把存儲(chǔ)單元垂直疊加,可大幅提高存儲(chǔ)器容量,但對(duì)制造工藝要求更高。